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J-GLOBAL ID：202002238353305878   整理番号：20A0765961

基板上の改質ボロフェンの成長の実現可能性解析:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

The feasibility analysis of growing the modified borophene on substrates: First-principles calculation

著者 (4件)： Li Yan-Li (Department of Physics and Institute of Condensed Matter Physics, School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Xie Qing-Xing (Department of Physics and Institute of Condensed Matter Physics, School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Wang Jia-Fu (Department of Physics and Institute of Condensed Matter Physics, School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Wang Jia-Fu (Hubei Engineering Research Center of RF-Microwave Technology and Application, Wuhan University of Technology, Wuhan, Hubei 430070, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 507  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算に基づいて,著者らはそれらの対応する基板上に8つの改質ボロフェンモデルを構築した。それらの電子構造,構造パラメータおよび結合エネルギーを計算した。それらの基質上の8つの修飾ボロフェンの吸着モードについても考察した。結果から,著者らは,FeB_2,TiB_2,HfB_2,MoB_4およびWB_4がSiC(111)(H原子によって不動態化)基板上に合成でき,CrB_4,B_3HおよびB_6OがAlN(111)(O原子によって不動態化)基板上で安定に成長できることを見出した。結合エネルギーの結果は,修飾ボロフェンとそれらの対応する基質間の相互作用がvan der Waals力であることを示した。さらに,電子構造から,共有結合相互作用はなかった。したがって,互いに相互作用は弱く,2D材料の電子構造を維持することができる。さらに,六方晶系(三角形)ホウ素シートの安定化を助けるために基板境界の不飽和原子を利用する基板上の六方晶系と三角形のホウ素シートの成長の考え方を提案した。最適化と形成エネルギーの計算は,不動態化SiC(111)またはAlN(111)基板上の三角形ホウ素シートの成長が実験で可能であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  結合エネルギー ,  最適化 ,  相互作用 ,  電子構造 ,  ホウ素 ,  *不動態化 ,  炭化ケイ素 ,  van der Waals力 ,  六方晶系 ,  二次元 ,  窒化アルミニウム ,  共有結合 ,  構造パラメータ
準シソーラス用語： *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ボロフェン ,  第一原理計算 ,  電子構造2D材料

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 改質 ,  ボロフェン ,  成長 ,  実現可能性 ,  解析 ,  第一原理計算