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J-GLOBAL ID：202002238712704006   整理番号：20A1872526

強誘電体Ba(Zr_0・2Ti_0・8)O_3-0.5(Ba_0・7Ca_0・3TiO_3)膜上の小面積Fe_70Ga_30膜におけるBias電圧変調抵抗状態【JST・京大機械翻訳】

Bias voltage modulated resistance states in small-area Fe₇₀Ga₃₀ films on ferroelectric Ba(Zr_{0 . 2Ti0 .8})O₃-0.5(Ba_{0 . 7Ca0 . 3TiO3}) films

著者 (6件)： Tao Zhi (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Han Yemei (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Ren Xianming (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Li Hui (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Wang Fang (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Zhang Kailiang (School of Electronic and Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 709  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O_3]-0.5(Ba_0.7Ca_0.3TiO_3)(BZT-0.5BCT)膜上の小面積Fe_70Ga_30(FeGa)から成る複合膜をPt/Ti/SiO_2/Si基板上に堆積させた。BZT-0.5BCT膜の正方晶ペロブスカイト結晶相が得られ,膜は均一で規則化した強誘電分域構造を有していた。BZT-0.5BCT膜の強誘電ヒステリシスループと変位電圧バタフライループを研究した。その結果,BZT-0.5BCT膜は64.2Åまでの変位で良好な圧電特性を示した。BZT-0.5BCT/FeGa複合膜は3.8kA/mの保磁力を有する明確な磁気ヒステリシスループを示した。電流-電圧(I-V)曲線を調べ,BZT-0.5BCT膜上のFeGa膜のI-V挙動をバイアス電圧印加により変調し,顕著なバイアス電圧制御抵抗スイッチング挙動をもたらし,79.8%の最大抵抗変化を0.5Vのバイアス電圧で得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  *強誘電体 ,  保磁力 ,  磁気ヒステリシス ,  *電圧 ,  電流 ,  カルシウム ,  チタン酸バリウム ,  強誘電分域 ,  正方晶系 ,  複合膜
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  抵抗スイッチング ,  電圧印加 ,  結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 強誘電体 ,  強磁性材料 ,  ジルコニウム酸バリウム ,  チタン酸バリウムカルシウム ,  鉄-ガリウム ,  抵抗状態

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  Ba ,  面積 ,  変調