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J-GLOBAL ID：202002238716079239   整理番号：20A0956176

CdSe量子ドット界面バッファ層を持つ反転ZnO/P3HT:PbSバルクヘテロ接合ハイブリッド太陽電池【JST・京大機械翻訳】

An inverted ZnO/P3HT:PbS bulk-heterojunction hybrid solar cell with a CdSe quantum dot interface buffer layer

著者 (3件)： Thomas Ajith (Centre for Nano-Bio-Polymer Science and Technology, Research and PG Department of Physics, St. Thomas College Palai, Kerala - 686574, India. [e-mail]) ,  Vinayakan R. ,  Ison V. V.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 28  ページ： 16693-16699  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造ITO/ZnO/P3HT:PBS/Auを有する反転バルクヘテロ接合(BHJ)ハイブリッド太陽電池を,周囲条件下で調製し,素子性能を,ZnOとP3HT:PBS BHJ活性層の間にCdSe量子ドット(QD)の界面バッファ層を挿入することによりさらに強化した。素子性能をCdSe QDのサイズとバッファ層の厚さを制御することにより最適化した。最適厚さとQDサイズを有するバッファ層は,電荷抽出を促進し,界面再結合を低減し,開回路電圧(V_OC),短絡電流密度(J_SC),充填因子(FF)および電力変換効率(PCE)を増加させることが分かった。CdSe QDバッファ層の導入によってPCEの1.7%から2.4%への約40%の増加が達成され,その主な寄与はV_OCの20%の増加から生じた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  最適化 ,  電荷 ,  *酸化亜鉛 ,  *セレン化カドミウム ,  活性層 ,  *硫化鉛 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  充填率 ,  電力変換効率 ,  短絡電流密度 ,  *ハイブリッド太陽電池 ,  *CdSe量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： CdSe量子ドット ,  界面 ,  バッファ層 ,  反転 ,  ZnO ,  P3HT ,  PbS ,  バルクヘテロ接合 ,  ハイブリッド太陽電池