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J-GLOBAL ID：202002238774168293   整理番号：20A0812003

ヘテロ接合p-i-n太陽電池性能に及ぼす親和性不連続性の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Affinity Discontinuity on Heterojunction p-i-n Solar Cell Performance

著者 (5件)： Halilov Samed (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Doha, Qatar) ,  Baloch Ahmer A. B. (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Doha, Qatar) ,  Tabet Nouar (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Doha, Qatar) ,  Rashkeev Sergey N. (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Doha, Qatar) ,  Alharbi Fahhad H. (Electrical Engineering Department, KFU for Petroleum and Minerals, Dharhan, Saudi Arabia)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 10  号： 2  ページ： 458-466  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合p-i-n太陽電池の性能に及ぼすバンドアラインメントの影響を一次元輸送モデルの枠内で調べた。より低い直列抵抗R_s,より高い開回路電圧V_ocおよびより高い充填因子FFをもたらす材料パラメータおよびドーピングレベルのセットを同定するために,親和性ベースのアプローチを導入した。探索は,非傾斜ヘテロ接合最適化設計の重要な要素を明らかにし,その効率は27%と高い。一方では,親和性関連量によって決定される特定のバンドアラインメントが,吸収体と電荷コレクタにおける次元要求が満たされると,千鳥状ギャップのケースを確実にするために観察されなければならない。他方,親和性に基づく制約は,接合界面における障壁と蓄積領域の悪影響を緩和するポテンシャルプロファイルを制御することを示した。制約は,より低いR_sと,より高いFFをもたらすことを示した。解析的アプローチにより,逆飽和電流J_0が最小になる親和性空間における全領域を明らかにした。これはR_sをピン止めする制約とも強く重なる。性能図は,親和性空間のほぼ同じ領域における汎関数としての浅い極小を特徴とし,そこでは,それらの数がバンドアラインメントの変化に対して比較的安定であることを結論づけた。この知見は,材料スクリーニングをより実行可能にし,新しいp-i-n細胞の設計における選択肢を有意に広げることを目的とした。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽 ,  *不連続性 ,  吸収体 ,  一次元 ,  汎関数 ,  電荷 ,  *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  *親和性 ,  最適設計 ,  スクリーニング
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  直列抵抗 ,  バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合 ,  太陽電池 ,  親和性 ,  不連続性