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J-GLOBAL ID：202002238965091727   整理番号：20A2013256

LiF単結晶における低応力および高温クリープ:いわゆるHarper-Dornクリープの説明【JST・京大機械翻訳】

The low-stress and high-temperature creep in LiF single crystals: An explanation for the So-called Harper-Dorn creep

著者 (3件)： Singh Shobhit Pratap (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Kumar Praveen (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Kassner Michael E. (Department of Aerospace and Mechanical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, CA 90089, United States)
資料名： Materialia  (Materialia)
巻： 13  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5058A  ISSN： 2589-1529  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に低い応力における単一および多結晶材料におけるクリープ挙動の理論およびHarperおよびDornによって最初に提案された非常に高い温度は,その命題以来,一定の議論下にある。従って,本研究の主目的は,Harper-DornレジームにおけるLiFの高純度単結晶のクリープ挙動を研究することである。0.95T_mでのLiFの応力指数が,10-5G以下の応力でε′′3.5(′′5′′-べき乗則)からε′′1.5に変化することが観察され,これは他の材料におけるHarper-Dornクリープの典型的な遷移応力である。静的アニーリング条件下での非常に高い温度(ε≦0.92T_m)での転位密度の進展は,10,000hまでのθ>150h後の転位密度の飽和を明らかにした。さらに,Harper-Dornレジームにおける転位密度は,静的アニーリング条件下で測定した飽和転位密度よりわずかに高い値を有する,適用応力に依存しないままであった。このように,Harper-Dorn領域で観察された典型的な一定の転位密度は,非常に低い応力でのAlの研究で結論付けられるように,LiFにおけるFrankネットワークの「フラストレーション」の結果である可能性がある。初期転位密度がフラストレーション値より低いならば,「5」べき乗則クリープが予想される。Harper-Dornおよび”5”べき乗則領域におけるLiFのクリープ応答を解釈するために,統一転位ネットワークベースモデルを開発した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *クリープ ,  *単結晶 ,  ネットワーク ,  アルミニウム ,  *高温クリープ ,  転位密度 ,  多結晶 ,  転位網 ,  命題 ,  応力指数
準シソーラス用語： べき乗則 ,  高純度 ,  イオン性 ,  クリープ挙動 ,  焼なまし条件 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Harper-Dornクリープ ,  イオン性固体 ,  単結晶 ,  転位密度 ,  LiF

分類 (1件)： 金属材料  (HC06020Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： LIF ,  単結晶 ,  応力 ,  高温クリープ ,  クリープ ,  説明