文献

J-GLOBAL ID：202002239109090365   整理番号：20A2120451

磁性ストライプを持つ[数式:原文を参照]薄膜の磁気抵抗:三次元磁気構造の役割【JST・京大機械翻訳】

Magnetoresistance in [Formula : see text] thin films with magnetic stripes: The role of the three-dimensional magnetic structure

著者 (19件)： Pianciola B. (Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia, CNEA-CONICET, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Flewett S. (Instituto de Fisica, Pontificia Universidad Catolica de Valparaiso, Avenida Universidad 330, Valparaiso, Chile) ,  De Biasi E. (Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia, CNEA-CONICET, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  De Biasi E. (Universidad Nacional de Cuyo, Instituto Balseiro, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Hepburn C. (Sorbonne Universite, CNRS, Institut des NanoSciences de Paris, INSP, UMR7588, F-75005 Paris, France) ,  Lounis L. (Sorbonne Universite, CNRS, Institut des NanoSciences de Paris, INSP, UMR7588, F-75005 Paris, France) ,  Vasquez-Mansilla M. (Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia, CNEA-CONICET, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Granada M. (Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia, CNEA-CONICET, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Barturen M. (Instituto de Tecnologia, Universidad Argentina de la Empresa, Lima 775, (C1073AAO) Ciudad Autonoma de Buenos Aires, Argentina) ,  Eddrief M. (Sorbonne Universite, CNRS, Institut des NanoSciences de Paris, INSP, UMR7588, F-75005 Paris, France) ,  Eddrief M. (LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias) ,  Sacchi M. (Sorbonne Universite, CNRS, Institut des NanoSciences de Paris, INSP, UMR7588, F-75005 Paris, France) ,  Sacchi M. (LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias) ,  Sacchi M. (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin BP 48, 91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Marangolo M. (Sorbonne Universite, CNRS, Institut des NanoSciences de Paris, INSP, UMR7588, F-75005 Paris, France) ,  Marangolo M. (LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias) ,  Milano J. (Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia, CNEA-CONICET, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Milano J. (Universidad Nacional de Cuyo, Instituto Balseiro, Centro Atomico Bariloche, (R8402AGP) San Carlos de Bariloche, Argentina) ,  Milano J. (LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencias)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 5  ページ： 054438  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ストリップされた磁気パターンを特徴とする[数式:原文を参照]薄膜における閉鎖領域の存在を示し,磁気輸送特性に及ぼす磁区配列の影響を調べた。x線共鳴磁気散乱により,このような閉鎖領域の存在を実験的に実証し,それらのサイズ及び表面磁化に対する相対的寄与も推定した。磁気輸送実験は,磁気抵抗の挙動が温度と同様に測定幾何学に依存することを示した。電流がストライプ方向に垂直なとき,磁場をすべての研究した温度範囲でストライプ方向(負の磁気抵抗)に沿って印加したとき,抵抗率は減少した。オーム領域における輸送計算は,主源が異方性磁気抵抗であることを示した。ストライプドメインに平行に流れる電流の場合,磁気抵抗変化符号は,室温で正であり,100Kで負であった。ドメイン壁から生じる固有磁気抵抗寄与は,観察された挙動の最も妥当な説明として現れる。磁気構造に関連した薄膜特性の決定のために,X線共鳴磁気散乱を用いることの重要性を証拠づけた。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  共鳴 ,  磁場 ,  *磁気抵抗 ,  磁区 ,  電気抵抗率 ,  電流 ,  *薄膜 ,  *磁気構造 ,  *磁性 ,  *三次元
準シソーラス用語： 磁気散乱 ,  磁気輸送 ,  ドメイン構造 ,  異方性磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 磁性 ,  数式 ,  参照 ,  薄膜 ,  磁気抵抗 ,  磁気構造 ,  役割