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J-GLOBAL ID：202002239137227110   整理番号：20A2160273

窒素ドープグラフェンにおけるグラファイト-窒素増強強磁性結合【JST・京大機械翻訳】

Graphitic-nitrogen-enhanced ferromagnetic couplings in nitrogen-doped graphene

著者 (10件)： Fu Lin (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Di Maoyun (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Weili (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Kaiyu (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Yong (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Yongjie (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Pan Hongzhe (School of Physics and Electronic Engineering, Linyi University, Linyi 276005, China) ,  Zhou Yuan (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Du Youwei (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Tang Nujiang (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, and Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 9  ページ： 094406  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドーピングは[数式:原文を参照]電子のみのグラフェンシートにおける基底面局在磁気モーメントを誘起する有望な方法である。磁気モーメント間の磁気結合の増強は,高Curie温度[数式:原文を参照]と強磁性(FM)の大きな比に寄与し,スピントロニクスデバイスにおける実際の応用に不可欠である。しかし,それはまだ困難である。ここでは,黒鉛性窒素(N-Q)が窒素ドープグラフェン(NG)中の欠陥Nによって提供される局在磁気モーメントの強磁性結合を増強できることを実験的に示した。2Kでのほぼ純粋なFMは,397.5Kまでの[数式:原文を参照]で[数式:原文を参照](N-Q/N=16.04at%)中で得られ,一方,室温飽和磁化は[数式:原文を参照]emu/gとして高かった。豊富な[数式:原文を参照]電子は,N-Q錯体の高い比率によって,主に遍歴磁性を失い,ピロールN(N-5)および/またはピリジンN錯体間の相互作用を強化した。密度汎関数理論シミュレーション結果は,[数式:原文を参照]中の磁気構造であると提案された,強化された副格子独立FMを有する特定の方向に沿って(三量体N-5)-トリアジニクスN-Qの立体配置を提供した。本研究は,N-Qの導入が長距離スピン相関のための理想的な経路として,従ってグラフェンにおける完全な強磁性結合を果たすことができることを明らかにした。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強磁性 ,  磁気モーメント ,  シミュレーション ,  飽和磁化 ,  *グラファイト ,  局在磁気モーメント ,  磁気構造 ,  *磁性 ,  副格子 ,  密度汎関数法 ,  スピントロニクス ,  *グラフェン ,  窒素複素環化合物
準シソーラス用語： *窒素ドーピング ,  *強磁性結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

物質索引 (1件)： ピリジン

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素ドープ ,  グラフェン ,  グラファイト ,  窒素 ,  増強 ,  強磁性結合