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J-GLOBAL ID：202002239165386495   整理番号：20A0744943

AlNベースのマルチフェロイック層状構造における歪誘起誘電増強【JST・京大機械翻訳】

Strain-Induced Dielectric Enhancement in AlN-Based Multiferroic Layered Structure

著者 (3件)： Pawar Shuvam (FNRL Lab, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India) ,  Kumar Anuj (FNRL Lab, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India) ,  Kaur Davinder (FNRL Lab, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India)
資料名： Shape Memory and Superelasticity  (Shape Memory and Superelasticity)
巻： 6  号： 1  ページ： 24-28  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4943A  ISSN： 2199-384X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,DCマグネトロンスパッタリングを用いて,AlN(300nm)/NiMnIn(300nm)構造の無鉛磁気電気複合材料を作製した。NiMnIn層上のAlNベース多層構造は,基板に垂直な柱状構造をもつ(002)配向ウルツ鉱成長を示した。層状構造は低レベルの漏れ電流を持ち,誘電損失を低減するのに有益である。作製した多層構造の圧電応答をPiezo力顕微鏡により測定し,約5.17pm/Vであることを見出した。磁化対温度グラフは約273~295Kでマルテンサイト変態を示した。この変換中に生成した歪は,作製したヘテロ構造の誘電率の変化により可視化した。変態領域は抵抗対温度挙動によっても検証された。増強された誘電率を持つこのようなAlNベースの多層構造は,将来の磁場センシングとマイクロ電気機械システムに基づくデバイス応用に有用である。Copyright ASM International 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  圧電気 ,  誘電損失 ,  漏れ電流 ,  マルテンサイト変態 ,  誘電体 ,  磁化 ,  磁気 ,  誘電率 ,  力顕微鏡 ,  *層状組織 ,  複合材料 ,  多層構造 ,  *窒化アルミニウム ,  可視化

著者キーワード (4件)： マルチフェロイック ,  スパッタリング ,  圧電 ,  誘電体

分類 (5件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属相変態  (CB03020W) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  マルチフェロイック ,  層状構造 ,  誘起 ,  増強