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J-GLOBAL ID：202002239331632779   整理番号：20A1235488

格子構造の微妙な変化によるDirac半金属ペロブスカイトSrIrO₃薄膜の電気的性質のエンジニアリング

Engineering electrical property of Dirac semimetal perovskite SrIrO₃ thin films by subtle changes in lattice structure

著者 (11件)： Lee Doopyo (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Lee Doopyo (MPPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Research Initiative, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Roh Seulki (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Hwang Jungseek (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Park Junho (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Park Junho (MPPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Research Initiative, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Koo Tae-Yeong (Pohang Accelerator Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Park Jae-Hoon (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Park Jae-Hoon (MPPHC-CPM, Max Planck POSTECH/Korea Research Initiative, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Park Jae-Hoon (Division of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Song Jonghyun (Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon, 34134, Republic of Korea)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 1  ページ： 015510 (5pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長温度とレーザフルエンスの系統的変化によるパルスレーザ蒸着を用いて,SrIrO₃(001)基板上に斜方晶SrIrO₃薄膜を合成した。異なる成長条件にもかかわらず,低温抵抗率はmΩcm範囲でのみ変動した。しかし,特性温度依存性は成長条件により変化し,いわゆる「絶縁体様」,「中間」または「金属様」挙動を示す。金属様または絶縁体様の電気的性質の選択は,IrO₆八面体の小さな回転により引き起こされる半金属SrIrO₃の格子構造の微妙な変化に関連することを見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *格子構造 ,  *金属 ,  *半導体 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *イリジウム化合物 ,  *酸素酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  *電気的性質 ,  温度 ,  フルエンス ,  パルスレーザ蒸着 ,  温度依存性 ,  条件 ,  絶縁体 ,  電気抵抗率 ,  状態図 ,  X線回折 ,  スペクトルシフト
準シソーラス用語： *Dirac半金属 ,  ペロブスカイト型構造 ,  *イリジウム酸塩 ,  酸化物薄膜 ,  成長温度 ,  レーザフルエンス ,  成長条件 ,  XRD ,  Ramanシフト

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 格子構造 ,  Dirac半金属 ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  エンジニアリング