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J-GLOBAL ID：202002239495952972   整理番号：20A1109484

決定論的スピン軌道トルク磁化スイッチングのための2つの異なる機構の比較【JST・京大機械翻訳】

A comparison of two different mechanisms for deterministic spin orbit torque magnetization switching

著者 (4件)： Garcia-Sanchez F. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica (INRIM), Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy) ,  Soares G. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica (INRIM), Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy) ,  Soares G. (Department of Applied Science and Technology (DISAT), Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy) ,  Pasquale M. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica (INRIM), Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 508  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,スピン軌道トルクを用いた磁化スイッチングに対する二つの可能な機構をモデル化することにより解析した。これは実験において磁場のない決定論的スイッチングを引き起こすことが報告されている。ここでは,反強磁性バイアス場の使用に対する異方性方向の傾斜による無磁場磁化スイッチングを比較した。解析的に得られた簡単な結果は,バイアス場が磁化反転を引き起こすだけでなく,対応するエネルギー障壁も減少させることを示した。磁化スイッチングに必要な臨界電流をマクロスピンモデルに基づいて解析した。異方性の傾斜によって引き起こされる磁場のない決定論的スイッチングはメモリ素子の開発におけるバイアス場よりもロバストであるが,特定の応用に対するパラメータを選択するときには,要求間の妥協が採用されなければならないことを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *磁場 ,  スイッチング ,  反強磁性 ,  臨界電流 ,  記憶素子 ,  バイアス ,  磁化反転 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *決定論 ,  エネルギー障壁 ,  *スピン-軌道トルク ,  *磁化スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピン ,  軌道 ,  トルク ,  磁化スイッチング