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J-GLOBAL ID：202002239496619769   整理番号：20A0079677

バナジウム上のNi単分子層の磁性:構造と交換相関効果【JST・京大機械翻訳】

The Magnetism of a Ni Monolayer on Vanadium: Structure and Exchange Correlation Effects

著者 (1件)： Ramanathan Amall A. (Currently a research assistant on a funded project at the Physics department, The University of Jordan, Amman, Jordan)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 19  ページ： 11-16  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Vanidium上のNickel単分子層の電子的及び磁気的性質に及ぼす構造及び交換相関の影響を,ノルム保存擬ポテンシャルをもつ密度汎関数理論を用いて調べた。(001)方向のNiとNi/V表面を7層スラブを用いてシミュレートし,構造的,電子的,磁気的性質を計算した。基板Vのbcc構造はNi単分子層に対して人工bcc構造を誘起する。これは膨張とdバンド混成によるNi表面磁気モーメントの消光をもたらす。その結果は,局所密度近似(LDA)と一般化勾配近似(GGA)交換相関の範囲内でのモーメントの無視できる値をもつ強磁性p1-1Ni表面を予測した。対照的に,二つの交換相関に対する界面V層における誘起磁性に対する一致はなかった。得られた磁気モーメント値は,LDAおよびGGAに対して,それぞれ,~0および1.32μ_Bであった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気モーメント ,  *ニッケル ,  強磁性 ,  ノルム ,  界面 ,  磁気的性質 ,  *単分子層 ,  密度汎関数法 ,  *バナジウム ,  モーメント ,  *磁性
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  局所密度近似 ,  擬ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： バナジウム ,  Ni ,  単分子層 ,  磁性 ,  相関