文献

J-GLOBAL ID：202002239553342798   整理番号：20A0596471

周波数分散容量-電圧測定による紫外/オゾン処理GaN界面を持つp-金属-オキシド-半導体キャパシタにおけるトラップ状態の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis on Trap States in p-Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Ultraviolet/Ozone-Treated GaN Interfaces Through Frequency-Dispersion Capacitance-Voltage Measurements

著者 (1件)： Kim Kwangeun (Department of Electronics and Electrical Convergence Engineering, Hongik University, Sejong, Republic of Korea)
資料名： Electronic Materials Letters  (Electronic Materials Letters)
巻： 16  号： 2  ページ： 140-145  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4309A  ISSN： 1738-8090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型金属-オキシド-半導体キャパシタ(pMOSCAPs)の紫外/オゾン(UV/O_3)処理Al_2O_3/GaN界面におけるトラップ状態を,周波数分散容量-電圧(C-V)測定により解析した。X線光電子分光法と高分解能透過型電子顕微鏡を適用して,UV/O_3処理によるGaN表面上の超薄酸化物層(Ga_2O_x)の形成を確認した。Al_2O_3/GaN界面におけるGa_2O_x層の不動態化により,GaNのバンドギャップに対して平均して7.30×1011から2.79×1011cm-2eV-1に,またGaNの伝導帯端付近で1.28×1013から4.08×1012cm-2eV-1の範囲でトラップ電荷密度と界面トラップ密度が改善されることを明らかにした。これらはGaNの伝導帯端付近でそれぞれ1.28×1013から4.08×1012cm-2eV-1であった。pMOSCAPsにおける改良トラップ状態の機構を,Al_2O_3/Ga_2O_xとGa_2O_x/GaN界面の両方における還元欠陥状態に基づいて同定した。グラフ。Copyright The Korean Institute of Metals and Materials 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 静電容量 ,  不動態化 ,  *半導体 ,  *酸化物 ,  *オゾン処理 ,  *コンデンサ ,  *窒化ガリウム ,  バンドギャップ ,  *界面 ,  X線光電子分光法 ,  *オゾン ,  伝導バンド ,  *電圧測定 ,  *電圧
準シソーラス用語： *周波数分散 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トラップ状態 ,  紫外線/オゾン処理 ,  GaN ,  金属-オキシド-半導体キャパシタ ,  静電容量-電圧測定

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 周波数分散 ,  電圧測定 ,  オゾン処理 ,  GaN ,  界面 ,  オキシド ,  キャパシタ ,  トラップ ,  解析