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J-GLOBAL ID：202002239726826143   整理番号：20A1086108

有機電界効果トランジスタのための極性非ハロゲン化溶媒を用いて処理したアクセプタ-ドナー-アクセプタ分子【JST・京大機械翻訳】

Acceptor-donor-acceptor molecule processed using polar non-halogenated solvents for organic field-effect transistors

著者 (8件)： Zhang Guobing (Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, State Key Laboratory of Advanced Display Technology, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhou Wei ,  Kim Minkyu ,  Sun Mingxiang ,  Lu Hongbo ,  Qiu Longzhen ,  Cho Kilwon ,  Ding Yunsheng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 19  ページ： 6496-6502  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非塩素化溶媒,特に極性非塩素化溶媒は,環境および健康問題を生成しないので,有機電界効果トランジスタ(OFET)の作製に非常に望ましい。本論文では,4つの極性非塩素化溶媒,すなわち,テトラヒドロフラン(THF),酢酸エチル(EtAc),アセトン(AT),および2-メチルテトラヒドロフラノ(2-MTHF)を用いて,OFETs用の高性能受容体-ドナー-アクセプタ小分子(IDT-ID-N)を製造した。光学特性,デバイス性能および微細構造に関する極性非塩素化溶媒の影響を詳細に調べた。THF,EtAc,AT及び2-MTHF処理素子に対して,それぞれ1.01,1.49,2.40及び0.81cm~2V~-1s-1の正孔移動度で高性能OFETsを実証した。本研究は,極性非塩素化溶媒から作製したIDT-ID-NベースOFETsが,高性能で環境に優しい有機エレクトロニクスへの応用の可能性を有することを示した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アクセプタ ,  極性 ,  光学的性質 ,  *ドナー ,  微細構造 ,  塩素化 ,  *ハロゲン化 ,  受容体 ,  小分子
準シソーラス用語： *有機FET ,  正孔移動度 ,  有機エレクトロニクス ,  アクセプタ分子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物・錯体の蛍光・りん光(分子)  (BH06062I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機電界効果トランジスタ ,  極性 ,  非ハロゲン化溶媒 ,  アクセプタ ,  ドナー ,  アクセプタ分子