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J-GLOBAL ID：202002239831037458   整理番号：20A0626132

光触媒エネルギー変換のための単層WSe_2/MoSe_2ヘテロ構造の積層独立性と共鳴層間励起【JST・京大機械翻訳】

Stacking Independence and Resonant Interlayer Excitation of Monolayer WSe₂/MoSe₂ Heterostructures for Photocatalytic Energy Conversion

著者 (13件)： Chen Jihan (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California) ,  Bailey Connor S. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Cui Dingzhou (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California) ,  Wang Yu (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California) ,  Wang Bo (Department of Physics and Astronomy, University of Southern California) ,  Shi Haotian (Department of Chemistry, University of Southern California) ,  Cai Zhi (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California) ,  Pop Eric (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Zhou Chongwu (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California) ,  Zhou Chongwu (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California) ,  Cronin Stephen B. (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California) ,  Cronin Stephen B. (Department of Physics and Astronomy, University of Southern California) ,  Cronin Stephen B. (Department of Chemistry, University of Southern California)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 2  ページ： 1175-1181  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,WSe_2-on-MoSe_2とMoSe_2-on-WSe_2ヘテロ構造の光触媒性能の比較を報告する。これらの二つの材料間のバンドオフセットにより,これらのヘテロ構造に内蔵電場が存在するが,光触媒性能(すなわち光電流)は二つの材料の積層順序に依存しない。これらの条件下でPoissonの方程式を解いて,ヘテロ構造で生成された内蔵電場は電気化学二重層(すなわちHelmholtz層)で生成されるものより少なくとも1桁小さいことを見出した。Mott-Schottky測定は,ITO電極上の遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)が裸のITOのそれと類似のキャパシタンスを有し,固溶体中のイオンにより生成された電界と比較して,固体状態ヘテロ構造で生成した界面電場が無視できることを示した。これらのヘテロ構造の光触媒性能は,532および633nmの波長励起と比較して,920および785nmの照射下でヘテロ接合領域において最大の相対的増強を与えた。ここでは,920nm(1.35eV)光子はバンドギャップの下にあり,構成単分子層材料において非常に小さい光電流を生成するが,ヘテロ構造における層間光学遷移を共鳴的に励起し,測定した光電流の5倍の増強を生じる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固溶体 ,  *光触媒 ,  触媒活性 ,  ヘテロ接合 ,  *エネルギー変換 ,  電場 ,  イオン ,  界面 ,  バンドギャップ ,  光電流 ,  固相 ,  *励起 ,  *共鳴 ,  単分子層 ,  静電容量

著者キーワード (6件)： TMDCヘテロ構造 ,  光触媒 ,  エネルギー変換 ,  電気化学 ,  光電気化学 ,  触媒作用

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光触媒 ,  エネルギー変換 ,  単層 ,  ヘテロ構造 ,  共鳴 ,  励起