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J-GLOBAL ID：202002240123567928   整理番号：20A0919142

マルチフェロイックε-Fe_2O_3膜における局所磁壁運動による非従来型強誘電スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Unconventional Ferroelectric Switching via Local Domain Wall Motion in Multiferroic ε-Fe₂O₃ Films

著者 (12件)： Guan Xiangxiang (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Guan Xiangxiang (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Guan Xiangxiang (NanoSpin, Department of Applied Physics, Aalto University School of Science, P. O. Box 15100, FI-00076 Aalto, Finland) ,  Yao Lide (NanoSpin, Department of Applied Physics, Aalto University School of Science, P. O. Box 15100, FI-00076 Aalto, Finland) ,  Rushchanskii Konstantin Z. (Peter Gruenberg Institut and Institute for Advanced Simulation, Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, 52425, Germany) ,  Inkinen Sampo (NanoSpin, Department of Applied Physics, Aalto University School of Science, P. O. Box 15100, FI-00076 Aalto, Finland) ,  Yu Richeng (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yu Richeng (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Lezaic Marjana (Peter Gruenberg Institut and Institute for Advanced Simulation, Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, 52425, Germany) ,  Sanchez Florencio (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB), CSIC, Bellaterra, 08193, Catalunya, Spain) ,  Gich Marti (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB), CSIC, Bellaterra, 08193, Catalunya, Spain) ,  van Dijken Sebastiaan (NanoSpin, Department of Applied Physics, Aalto University School of Science, P. O. Box 15100, FI-00076 Aalto, Finland)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 4  ページ： e1901134  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体およびマルチフェロイック膜における決定論的分極反転は,ナノ電子デバイスにおけるそれらの開発にとって重要である。強誘電性はほぼ世紀にわたって研究されてきたが,報告されている抗電場の値と飽和分極における大きな不一致は多くの材料に対する文献において持続している。これは分極反転の背後にある原子スケール機構に関する疑問を提起する。室温でフェリ磁性と強誘電性を組み合わせた材料,ε-Fe_2O_3膜における従来の強誘電スイッチングを報告した。高分解能in situ走査透過型電子顕微鏡実験と第一原理計算により,ε-Fe_2O_3の分極反転が,250~500kVcm-1の中程度の電場で局所磁壁運動を引き起こすことを示した。計算により,磁壁におけるスイッチングの活性化障壁は,ε-Fe_2O_3ドメイン内の最も可能性のある遷移経路に対応するものの約4分の1であることを示した。さらに,磁壁はドメイン境界近くの極性構造の対称性低下をもたらし,ε-Fe_2O_3における強誘電スイッチングに必要であることを示した。ε-Fe_2O_3における局所分極反転は巨視的強誘電応答を制限し,他の関連強誘電体材料におけるドメイン構造設計により強誘電特性をどのように調整するかに関する重要なヒントを提供する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  極性 ,  *磁壁 ,  対称性 ,  電場 ,  フェリ磁性 ,  強誘電性 ,  高分解能 ,  分極反転 ,  抗電場
準シソーラス用語： 飽和分極 ,  誘電応答 ,  ドメイン構造 ,  第一原理計算 ,  強誘電スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 強誘電スイッチング ,  マルチフェロイック ,  ε-Fe2O3

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： マルチフェロイック ,  磁壁運動 ,  強誘電スイッチング