文献
J-GLOBAL ID:202002240276757158   整理番号:20A1879881

第一原理計算によるWS_2単分子層中の熱輸送に及ぼす二軸歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of biaxial strain on thermal transport in WS2 monolayer from first principles calculations
著者 (6件):
資料名:
巻: 124  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
最近,二硫化タングステン(WS_2)単分子層が,その優れた物理的性質のために二次元材料として浮上している。本研究では,歪WS_2単層における熱輸送を第一原理計算とBoltzmann輸送方程式を組合せて系統的に研究した。格子熱伝導率(k)は,2軸引張歪(0%から8%)で262.78から190.66Wm-1K-1へ,また2軸圧縮歪(0%から-4%)で262.78から217.40Wm-1K-1まで減少することを見出した。歪WS_2単層における軟化横方向/縦方向音響フォノンモードおよび強化曲げ音響フォノンモードはフォノン群速度を変化させた。引張歪WS_2単分子層のkを,音響フォノンモードのフォノン群速度,熱容量およびフォノン寿命の低下に属性した。増加するフォノン群速度,熱容量および減少するフォノン寿命の間の包括的な競合は,圧縮歪WS_2単層の格子熱伝導率を抑制した。さらに,相空間の増加は,非調和フォノン散乱の増強が,引張歪WS_2単層におけるkの抑制をもたらすことを証明した。さらに,異なる二軸歪レベル下の臨界フォノン平均自由行程(MFP)を計算し,WS_2単分子層の全kに対する異なるMFPを有するフォノンの寄与を実証した。本研究は,WS_2単層における熱伝導のフォノン挙動解析を提供し,WS_2ベースデバイスの可能な応用の道を開いた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
比熱・熱伝導一般  ,  結晶中のフォノン・格子振動  ,  分子の電子構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る