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J-GLOBAL ID：202002240305991624   整理番号：20A1190678

量子ドット発光トランジスタ-強力な研究ツールとその将来の応用【JST・京大機械翻訳】

Quantum Dot Light-Emitting Transistors-Powerful Research Tools and Their Future Applications

著者 (3件)： Kahmann Simon (Photophysics and OptoElectronics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747, AG, Groningen, The Netherlands) ,  Shulga Artem (Photophysics and OptoElectronics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747, AG, Groningen, The Netherlands) ,  Loi Maria A. (Photophysics and OptoElectronics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747, AG, Groningen, The Netherlands)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 20  ページ： e1904174  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,発光体としてのコロイド量子ドット(CQD)に基づく発光電界効果トランジスタ(LEFETs)の分野における最近の研究を強調した。これらの素子は,電界効果トランジスタから知られているように,単一素子における発光の可能性をもつ電気スイッチングの可能性を組み合わせている。光放出のためのコロイド量子ドットの使用を動機づける前に,電界効果トランジスタの特性とLEFETの前提条件をレビューした。これらの量子ドット発光電界効果トランジスタ(QDLEFET)に関する最近の報告は,近赤外で発光する材料と可視スペクトル範囲の両方を含み,QDLEFETの応用の大きな可能性と幅を強調している。LEFETがCQD材料特性の理解をさらに可能にする方法について,それらの光物理学ならびに膜を通るキャリア輸送について議論した。さらに,大きな影響の可能性を提供する技術分野の概観を提供した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 可視スペクトル ,  スイッチング ,  *発光 ,  FET【トランジスタ】 ,  近赤外線 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  材料特性 ,  光物理学 ,  *発光トランジスタ ,  発光体 ,  コロイド量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： コロイド量子ドット ,  電界効果トランジスタ ,  発光 ,  分光法

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  発光トランジスタ ,  研究 ,  ツール ,  応用