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J-GLOBAL ID:202002240318162746   整理番号:20A2453076

表面格子に基づく利得結合770nmDFB半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】

Gain-coupled 770 nm DFB semiconductor laser based on surface grating
著者 (20件):
資料名:
巻: 479  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: A0678B  ISSN: 0030-4018  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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770nm窓で発光する高次利得結合表面格子に基づく単一縦モード利得結合分布帰還(DFB)レーザを実行した。絶縁格子溝との周期的表面金属p接触は利得結合機構を実現した。このデバイスは,ファセット被覆(HR>99%,AR<0.5%),3dB線幅が0.26pm,SMSRが36dBである最大116.8mW@400mAまでの最大CW出力を持つ単一縦モードを提供した。容易な製造技術と安定した性能のため,それは,商業用途のための770nmの領域製造方法において,実用的利得結合分散型フィードバックレーザ発光を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  固体レーザ 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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