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J-GLOBAL ID：202002240382977577   整理番号：20A0011699

二段階ガス処理による高水素発生速度のための炭素架橋G-C_3N_4ナノシート【JST・京大機械翻訳】

Carbon-Bridged g-C₃N₄ Nanosheets for High Hydrogen Evolution Rate by a Two-Step Gaseous Treatment

著者 (13件)： Xu Guangqing (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Xu Guangqing (Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Wang Zhiwei (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Liu Qing (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Lv Jun (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Lv Jun (Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Huang Jun (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Huang Jun (Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Shu Xia (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Shu Xia (Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Wang Jianmin (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Wu Yucheng (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Wu Yucheng (Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China)
資料名： Chemistryselect  (Chemistryselect)
巻： 4  号： 45  ページ： 13064-13070  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2528A  ISSN： 2365-6549  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化炭素(g-C_3N_4)は光触媒水素生産により太陽光を化学エネルギーに変換する明るい展望を有する。しかしながら,直接熱重合により得られたバルクg-C_3N_4の低比表面積と急速電荷再結合は,その光触媒水分解効率を制限する。ここでは,炭素架橋g-C_3N_4ハイブリッドナノシートを,湿式N_2雰囲気中でのガス状ストリッピングとエタノール雰囲気中での炭素堆積から成る二段階ガス処理により合成した。得られたハイブリッドは,同時に高い光吸収と低い再結合速度を有する。さらに,堆積した炭素は,g-C_3N_4と共触媒Ptの間の「ブリッジ」として作用し,電子移動を容易にした。共触媒として3wt%のPtを用いて,最適化したC/g-C_3N_4(5)ハイブリッドナノシートは,バルクg-C_3N_4の11倍である,8536μmol h(-1) g(-1)の最も高い水素発生率を達成した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水素 ,  白金 ,  光吸収 ,  電子移動 ,  最適化 ,  太陽光 ,  比表面積 ,  *ガス処理 ,  *炭素 ,  熱重合 ,  *ナノシート ,  光触媒 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 電荷再結合 ,  窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： C/G-C_3N_4ハイブリッドナノシート ,  ガス処理法 ,  炭素析出 ,  水素の進化

分類 (1件)： 薬物の合成  (GV01030F)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  ガス処理 ,  水素発生 ,  炭素 ,  架橋