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J-GLOBAL ID：202002240425078073   整理番号：20A0427318

インジウム媒介金属交換触媒分子ビームエピタクシー(MexCAT-MBE)によるβ-Ga_2O_3(100),(010),(001)および(201)ホモエピタクシーの基板方位依存性【JST・京大機械翻訳】

Substrate-orientation dependence of β-Ga₂O₃ (100), (010), (001), and (201) homoepitaxy by indium-mediated metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)

著者 (9件)： Mazzolini P. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Falkenstein A. (Institute of Physical Chemistry, RWTH Aachen University, D-52056 Aachen, Germany) ,  Wouters C. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Schewski R. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Markurt T. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Galazka Z. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Martin M. (Institute of Physical Chemistry, RWTH Aachen University, D-52056 Aachen, Germany) ,  Albrecht M. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Bierwagen O. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 011107-011107-10  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,In媒介金属交換触媒(MEXCAT)が,β-Ga_2O_3ホモエピタクシーに対する堆積窓を,主な基板配向,すなわち(010),(001),(201),(100)6°オフカットにより,その成長を妨げることを実験的に実証した。得られた結晶品質,表面粗さ,成長速度,およびIn取り込みプロファイルを示し,異なる実験技術と比較した。固定成長条件に対する成長速度Γは,γ(010)>Γ(001)>Γ(201)>Γ(100)の順で,異なる配向の表面自由エネルギーとともに単調に増加した。より高い表面自由エネルギーを有するGA_2O_3表面は,表面吸着原子または吸着分子に対してより強い結合を提供し,脱着の減少,すなわちより高い取込/成長速度をもたらした。しかし,(201)の場合の構造品質は,この配向の結晶学のために双晶領域によって損なわれる。特に,著者らの研究は,MEXCAT-MBEによって成長した高い構造品質を持つβ-Ga_2O_3層を,最も研究された(010)配向だけでなく,(100)および(001)においても明らかにした。特に,(001)配向上のMEXCATは,(010)で達成されるものに匹敵する成長速度と構造品質の両方をもたらし,MEXCAT堆積過程に関連したInの制限された組込みは意図的にドープされていない層の絶縁特性を変えない。従って,(001)表面はデバイスの価値ある代替配向として示唆される。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *触媒 ,  *ホモエピタクシー ,  双晶 ,  結晶学 ,  脱着 ,  品質 ,  成長速度 ,  ドーピング ,  *MBE成長 ,  *インジウム
準シソーラス用語： 吸着分子 ,  表面自由エネルギー ,  成長条件 ,  結晶品質 ,  *方向依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  触媒 ,  分子ビームエピタクシー ,  MBE ,  ホモエピタクシー ,  方位依存性