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J-GLOBAL ID：202002240425795851   整理番号：20A2484802

PSトンネル層導入による有機電荷捕獲メモリのメモリ特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of memory characteristics for an organic charge trapping memory by introduction of PS tunneling layer

著者 (8件)： Zhang Peng (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, PR China) ,  Yi Mingdong (Center for Molecular Systems and Organic Devices (CMSOD), Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID) and Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing University of Posts &Telecommunications, Nanjing, 210023, PR China) ,  Huang Liya (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, PR China) ,  Shi Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University(Nanjing Tech), 30 South Puzhu Road, Nanjing, 211816, PR China) ,  Zhu Jintao (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, 1037 Luoyu Road, Wuhan, 430074, PR China) ,  Huang Wei (Center for Molecular Systems and Organic Devices (CMSOD), Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID) and Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing University of Posts &Telecommunications, Nanjing, 210023, PR China) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University(Nanjing Tech), 30 South Puzhu Road, Nanjing, 211816, PR China) ,  Huang Wei (Shaanxi Institute of Flexible Electronics (SIFE), Northwestern Polytechnical University (NPU), 127 West Youyi Road, Xi’an, 710072, PR China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 87  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷捕獲層として(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン(APTES)自己集合単一層(SAM),活性層としてペンタセンを用いて,有機電荷捕獲メモリを作製した。初期試行では,APTES SAMは活性層と直接接触し,小さなメモリウィンドウ,WRER試験における低い読出電流比,および短い保持時間を示す劣ったメモリ特性を示した。APTES SAMと活性層の間に薄いポリスチレン(PS)トンネル層を導入することで,メモリ特性の全ての側面は,拡張メモリウィンドウ,WRER試験における非常に増加した読み取り電流比,およびずっと長い保持時間を含めて改善された。面白いことに,プログラミング効率はPSトンネル層の導入に影響を受けず,1μs未満の短いプログラミング時間を示した。しかし,PSトンネル層厚さの更なる増加によって,WRER試験における読取電流比率とプログラミング効率は,わずかに減少した。さらに,保持時間も厚いPSトンネル層に関してわずかに短かった。それにもかかわらず,PSトンネル層の導入によるメモリ特性の総合的改善は不揮発性メモリデバイスの潜在的応用を可能にする。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電流 ,  保持時間 ,  不揮発性メモリ ,  活性層 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 自己集合単分子膜 ,  有機薄膜トランジスタ ,  *電荷捕獲 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  電荷捕獲メモリ ,  PSトンネル層 ,  APTES SAM

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (3件)： PS ,  トンネル ,  電荷捕獲