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J-GLOBAL ID：202002240471059551   整理番号：20A0329920

シリコン不動態化歪Si_1-xGe_xチャネル層におけるダングリングボンド欠陥【JST・京大機械翻訳】

Dangling bond defects in silicon-passivated strained-Si_1-xGe_x channel layers

著者 (8件)： Madia O. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Madia O. (ASM Belgium, Leuven, Belgium) ,  Kepa J. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Afanas’ev V. V. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Franco J. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Kaczer B. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Hikavyy A. (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Stesmans A. (Laboratory of Semiconductor Physics, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 1  ページ： 75-79  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.8nm厚HfO_2ゲート誘電体を有する界面におけるシリコン不動態化(1または3nm厚Siキャップ)歪-(100)Si_1-xGex_x(x=0.25~0.55)層におけるダングリングボンド欠陥(DB)を,Electronスピン共鳴(ESR)分光法によって研究した。結果は,Si基板結晶とシュードモルフィックSi_1-xGex_x膜の間の界面に位置するかなりの割合のSi DB(P_b0中心)の支配的寄与を示唆する。Ge含有試料におけるSi DBの密度は参照(100)Si/HfO_2界面におけるよりも著しく低く,Si_1-xGex_x層における厚さとGe濃度の増加とともにESR検出限界(≒0.8×10~11cm-2)以下に減少した。しかしながら,Siキャップの厚さが1nmに減少するとき,またはキャップされていないSi_1-xGex_xの上にHfO_2の直接堆積の場合に,Geの有益な効果はより顕著でなくなる。これらの観察から,Si_1-xGe_xチャネルから界面Si層へのGeの拡散によりDBが除去され,Si DBの生成がエネルギー的に不利になり,凝縮成長Si_1-xGex_x層に関する以前の観測と一致すると結論した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲート絶縁膜 ,  *不動態化 ,  *ダングリングボンド ,  界面 ,  凝縮 ,  磁気共鳴 ,  チャネル ,  *ケイ素 ,  結晶 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  不動態化 ,  歪 ,  チャネル層 ,  ダングリングボンド ,  欠陥