文献
J-GLOBAL ID:202002240605345791   整理番号:20A0646941

低融点と高蒸気圧を有する有機結晶成長のための修正CZ法【JST・京大機械翻訳】

Modified CZ technique for the growth of organic crystals having low melting point and high vapour pressure
著者 (2件):
資料名:
巻: 535  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
工業的に重要な半導体,酸化物および光学結晶の大部分はCzochralski(CZ)技術により成長される。しかし,CZ法は,溶液成長法が一般的に用いられている低融点有機/半有機結晶の成長にはほとんど使用されていない。さらに,洗練されたインフラストラクチャと高コストの要求により,CZセットアップは,発展途上国における大学の範囲外にある。本論文は,低融点(約100°C)および高蒸気圧有機材料の単結晶を成長させるために用いることができるCZ技術の概念に基づいて,低コスト結晶成長システムを設計することに関するものである。主な変化は加熱システムと成長チャンバーの設計である。従来のCZセットアップによる低融点および高蒸気圧有機材料の結晶成長の困難性,およびこれらの結晶の成長のためのセットアップにおける種々の改良について議論した。本論文では,低コスト改質CZセットアップによる有機2-ヒドロキシビフェニル(2-HBP)単結晶(直径約1cmと7cmの長さ)の単結晶成長を報告した。2-HBP結晶の結晶構造と組成を粉末X線回折とCHNS分析によって研究した。非中心対称空間群Fd2を有する斜方晶系を粉末XRD研究により確認した。成長結晶の熱安定性と融点を,熱重量分析(TGA)と示差走査熱量測定(DSC)技術の助けを借りて得た。観測された光学特性は,312nmでのカットオフ波長が低く,UV分光法では3.91eVの光学バンドギャップ,332nmでのUV領域での強い光ルミネセンス(PL)発光は,2-HBP結晶を光電子応用と同調可能なレーザシステムに適した材料とした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
有機化合物の結晶成長  ,  非線形光学 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る