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J-GLOBAL ID:202002240613298185   整理番号:20A0663388

対/参照電極から溶解した貴金属不純物により誘起された光電気化学的水素発生反応性の過大評価【JST・京大機械翻訳】

Overestimation of Photoelectrochemical Hydrogen Evolution Reactivity Induced by Noble Metal Impurities Dissolved from Counter/Reference Electrodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 3381-3389  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5035A  ISSN: 2155-5435  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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3電極系は,電極/電解質界面での分析物の挙動を理解するために,多くのボルタンメトリー研究で典型的に利用されている。多くの電気化学反応におけるその高い活性と安定性のために,バルクPt片は通常,このような系における対向電極として使用されている。しかし,Pt対向電極の溶解は分析物の固有特性の不正確な評価に関する懸念を増大させた。本研究では,p型シリコン(p-Si)のモデル光電陰極による光電気化学(PEC)水素発生反応(HER)において,従来のPtカウンターおよびAg/AgCl参照電極から強い干渉が出現することを実証した。光照射下では,Pt対向電極は1.6~2.0V_RHEの高さで分極され,これにより酸化された表面から無視できないPt溶解が生じた。これはオペランド誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)によりモニターされた。ポスト反応分光法と顕微鏡研究はp-Si光電陰極上のPtとAg粒子の形成を確認し,p-SiのHER活性の誤った過大評価をもたらした。3電極系の種々の構成,例えばNafion膜を持つH型セルを研究し,p-Siの望ましくない汚染を禁止するための適切なセル構造を見出した。Nafion膜を用いたPtカウンターおよびAg/AgCl参照電極からのp-Siの分離は,p-Siの汚染を効果的に軽減するが,末端に向かって,金属イオンは膜を通る拡散によりp-Si上にゆっくり堆積させることができる。結果として,本研究は,従来のPtカウンターとAg/AgCl参照電極を用いるとき,注意深い注意が必要であることを強調した。PECカソード評価中に溶解したPtとAg種から生じるアーチファクトを防ぐために,グラファイト対向電極と分離した参照電極を使用することが推奨される。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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