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J-GLOBAL ID：202002240726220222   整理番号：20A1437524

Feバッファ層を有する絶縁基板上の導電性超薄膜Sn膜の二次元成長【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional growth of conductive ultra-thin Sn films on insulating substrate with an Fe buffer layer

著者 (6件)： Zheng Dingheng (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shiogai Junichi (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Inoue Hisashi (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Souma Seigo (Center for Spintronics Research Network (CSRN), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sato Takafumi (Center for Spintronics Research Network (CSRN), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Tsukazaki Atsushi (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 8  号： 6  ページ： 061103-061103-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄Sn膜の二次元(2D)成長は,それらの結晶化形の一つがトポロジー材料の有望な候補であるので,エキゾチック量子現象を調べる必要条件である。本研究では,分子線エピタキシーを用いて絶縁Al_2O_3基板上にFeバッファ層を用いて室温でSnの超薄膜成長を調べた。2または4nm厚さのFe層の挿入により,Sn薄膜の成長モードは,Al_2O_3上の3次元(3D)島ベースモードからFe上の2D層ベースモードへと変化した。しかし,Sn(d_Sn)の厚さが約1.0nmの臨界値d_cSnに達したとき,3D成長モードが再現され,3つの原子層に対応した。Feバッファ層上のd_Snの増加によるシートコンダクタンスの系統的な増加は,Sn膜のシート抵抗がd_cSn以下の厚さで特性化できることを明らかにした。d_cSn上のシートコンダクタンスの飽和は,島ベース成長モードによって成長したSn膜の切断を示した。さらに,d_Snの増加に伴うSn/Fe二重層における異常Hall抵抗の減少は,導電性超薄2D Sn層の短絡と短絡効果に起因した。二層において大きな異常なHall効果を与えるSnとFeの間の強い結合を考慮することによって,Fe上の超薄Snの2D成長のさらなる最適化は,電気輸送測定を通して,エキゾチックな界面物理現象を研究する道を開くであろう。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  界面 ,  結晶化 ,  最適化 ,  *スズ ,  *鉄 ,  エレクトロトランスポート ,  *二次元 ,  三次元 ,  MBE成長 ,  *超薄膜 ,  *バッファ層 ,  シート抵抗 ,  コンダクタンス ,  *導電性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  バッファ層 ,  絶縁基板 ,  導電性 ,  超薄膜 ,  Sn ,  二次元成長