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J-GLOBAL ID:202002240829068622   整理番号:20A2442775

非線形および超高速ナノフォトニクスのためのシリカ上のナノ構造非晶質りん化ガリウム【JST・京大機械翻訳】

Nanostructured amorphous gallium phosphide on silica for nonlinear and ultrafast nanophotonics
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 1500-1508  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2469A  ISSN: 2055-6764  CODEN: NHAOAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高屈折率誘電体に基づくナノフォトニクスは,設計したナノ構造の指数と,低屈折率基板上の薄膜の成長によって達成できるそれらの即時周囲との間のかなりコントラストに依存する。ここでは,高周波スパッタ蒸着により製作した高屈折率非晶質リン化ガリウム(a-GaP)の使用を,低屈折率ガラス基板の上面に提案し,そのナノフォトニック特性を徹底的に調べた。非晶質材料のスペクトル偏光解析法は,650nmより長い波長に対して低損失透明性で,結晶性リン化ガリウム(c-GaP)にかなり近い光学的性質を示した。ナノパッチにナノ構造化すると,個々のa-GaPパッチの第二高調波(SH)応答は,アンポール様共鳴挙動で,堆積していない非構造化膜よりも2桁以上大きいと特性化される。数値シミュレーションは,大きなスペクトルと幾何学的範囲にわたる実験結果と良く一致した。さらに,サブ10fsパルスによる非縮退ポンププローブ分光法を通して個々のa-GaPナノパッチを研究することにより,吸収に起因する遅い減衰自由キャリアの寄与を伴う反射率の5%以上の超高速変調を見出した。著者らの研究は,光触媒だけでなく,非線形ナノフォトニック応用のための適切な安価でCMOS互換材料としてのa-GaPの可能性を明らかにした。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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半導体のルミネセンス  ,  その他の光デバイス  ,  酸化物薄膜  ,  半導体薄膜  ,  光物性一般 

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