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J-GLOBAL ID：202002240840257585   整理番号：20A1917455

van der Waalsエピタクシーによるウエハスケール連続性を有する二次元MoSe_2/グラフェンヘテロ構造薄膜【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional MoSe₂/graphene heterostructure thin film with wafer-scale continuity via van der Waals epitaxy

著者 (6件)： Dai Tian-Jun (School of Electronic and Communication Engineering, Guiyang University, Guiyang 550005, China) ,  Chen Yu-Qing (School of Electronic and Communication Engineering, Guiyang University, Guiyang 550005, China) ,  Zhou Zhang-Yu (School of Electronic and Communication Engineering, Guiyang University, Guiyang 550005, China) ,  Sun Jian (School of Electronic and Communication Engineering, Guiyang University, Guiyang 550005, China) ,  Peng Xiao-Shan (School of Electronic and Communication Engineering, Guiyang University, Guiyang 550005, China) ,  Liu Xing-Zhao (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 755  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハスケールでの2次元MoSe_2/グラフェンヘテロ構造を,物理蒸着(PVD)を含む新しい方法によって実現し,そこでは,MoSe_2膜を,電子銃蒸発器を用いて,MoSe_2化合物を蒸発させることによって,グラフェン上に垂直に積層した。下層グラフェンによる優先格子配向を透過型電子顕微鏡により同定し,MoSe_2のvan der Waalsエピタキシー(VdWs)を明らかにした。グラフェン基板とMoSe_2エピ層の間の界面相互作用をRaman分光法により調べた。成長技術は,ナノデバイスの将来の大量生産のために開発できる大面積VdWsヘテロ構造を作製する容易な経路を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  電子顕微鏡観察 ,  電子銃 ,  *薄膜 ,  大量生産 ,  蒸発器 ,  *二次元 ,  Raman分光法 ,  物理蒸着 ,  下層 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノデバイス ,  界面相互作用 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： VAN ,  エピタクシー ,  ウエハ ,  スケール ,  連続性 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  薄膜