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J-GLOBAL ID：202002240849654308   整理番号：20A0521288

窒化ガリウム層上のひ化ガリウムナノワイヤの空間制御VLSエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Spatially controlled VLS epitaxy of gallium arsenide nanowires on gallium nitride layers

著者 (7件)： Blumberg C. (University of Duisburg-Essen, Dept. Components for High Frequency Electronics, Faculty of Engineering, and CENIDE, Duisburg, Germany. [e-mail]) ,  Liborius L. ,  Ackermann J. ,  Tegude F.-J. ,  Poloczek A. ,  Prost W. ,  Weimann N.
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 7  ページ： 1239-1250  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機気相エピタクシーにより窒化物化合物半導体上にヒ化物を成長させる可能な方法として,n-GaN層上にAu触媒p-GaAsナノワイヤ成長を示した。GaAs成長位置,ナノワイヤ密度およびナノワイヤ成長方向は,蒸気-液体-固体成長および選択領域エピタクシーの組合せによって制御された。従って,空間的に制御されたナノワイヤ成長が達成され,これは素子作製に必須である。成長位置は,n-GaN上にリソグラフィー的に配置されたAuディスクによって定義される。成長条件を適合させることにより,ナノワイヤ密度を最適化した。横方向および垂直方向の異方性ナノワイヤ成長は,構造化したSiO_x開口部におけるVLS成長を通して達成される。成長方向の制御を成功させるための重要な技術的パラメータは,SiO_xマスク,開口寸法に関連した共晶のサイズ,およびSiO_x厚さに関連したAu触媒の位置決めである。これらの結果は異なるpn接合位置と調整可能なナノワイヤ成長寸法と方向をもたらす。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  円板 ,  触媒 ,  共晶 ,  最適化 ,  化合物半導体 ,  リソグラフィー ,  VLS成長 ,  PN接合 ,  金 ,  *窒化ガリウム ,  ヒ化物 ,  *ナノワイヤ ,  MOCVD ,  *ヒ化ガリウム

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ガリウム ,  ひ化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  エピタクシー