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J-GLOBAL ID：202002240881967062   整理番号：20A2719165

ドナードープPbZr_0.52Ti_0.48O_3膜の予想外のバンド曲がり【JST・京大機械翻訳】

Unexpected band-bending of donor-doped PbZr0.52Ti0.48O3 films

著者 (7件)： Barrett Nicholas (SPEC, CEA, CNRS, Universite Paris Saclay, Gif-sur-Yvette F-91191, France) ,  Gueye Ibrahima (Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, F-38000, France) ,  Gueye Ibrahima (Synchrotron X-ray Group, Research Center for Advanced Measurement and Characterization, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Gueye Ibrahima (Synchrotron X-ray Station at SPring-8, Research Network and Facility Services Division, NIMS, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo, Japan) ,  Rhun Gwenael Le (Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble 38000, France) ,  Renault Olivier (Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble 38000, France) ,  Defay Emmanuel (Luxembourg Institute of Science and Technology, Material Research and Technology Department, 41 Rue du Brill, Belvaux L-4422, Luxembourg)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 715  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性PbZr_0.52Ti_0.48O_3(PZT)におけるドーピング誘起バンドシフトとPZTベースキャパシタの電気特性の間の相関の研究を示した。ゾル-ゲル成長220nmPZT薄膜を,それぞれAとBサイトで1から4%のLaまたはNbドナーでドープした。2%LaとNbについて,ピーク表面キャパシタンスと絶縁破壊場値を得た。絶縁破壊場は,新しい伝導経路の形成を示唆するより高いドーピングに対して著しく減少した。膜化学はLaまたはNbドーピングによって変化しなかったが,バンドシフトが観測された。LaとNbのドーピングはFermi準位に対するバンド曲がりをもたらし,2%とLaドーピングでの最大シフトも,抗電場の減少から見られるように強誘電状態を軟化した。結果は欠陥の熱活性化に続くLaとNbドーピングによる酸素空孔の初期補償と一致する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *ドナー ,  薄膜 ,  ニオブ ,  ランタン ,  強誘電性 ,  Fermi準位 ,  ドーピング ,  静電容量 ,  電気特性 ,  X線光電子分光法 ,  抗電場
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  熱活性化 ,  *バンド曲がり , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  X線光電子分光法 ,  ドーピング ,  バンド曲げ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドナー ,  ドープ ,  予想 ,  バンド曲がり