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J-GLOBAL ID：202002240988344863   整理番号：20A1436711

立方晶および六方晶炭化ケイ素結晶のピエゾ抵抗移動度モデリング【JST・京大機械翻訳】

The piezoresistive mobility modeling for cubic and hexagonal silicon carbide crystals

著者 (3件)： Sugiura Takaya (Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan) ,  Takahashi Naoki (Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan) ,  Nakano Nobuhiko (Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 24  ページ： 245113-245113-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピエゾ抵抗効果は,それに作用する機械的力に対する材料の抵抗率の変化によって特性化される。このような材料は圧力センサとして使用でき,マイクロエレクトロメカニカルシステム応用のための最も重要な部品である。今日まで,ピエゾ抵抗効果に関するほとんどの研究は,Siのような立方結晶材料に向けられている。しかし,SiCのような将来の非立方晶材料は,刺激的で有望な特性を有することが知られている。SiCは高温ロバスト性を示し,化学的に安定である。これらの特性は種々の応用に適用できることが期待される。これらの材料は六方晶結晶系のカテゴリーに陥り,そのような材料のピエゾ抵抗特性を評価することは困難である。本研究では,立方晶および六方晶結晶系の両方に対応するピエゾ抵抗移動度モデルを検討した。この移動度モデルは,縦方向と横方向のピエゾ抵抗係数および材料-一意フィッティングパラメータを用いて,Gauge因子(GF)値の経験的フィッティングから導いた。提案手法を元のデバイスシミュレータに実装し,SiとSiC材料の両方に関して評価した。この報告は,よく整合したGF値を示し,提案したピエゾ抵抗効果モデルがデバイスシミュレーションモデリングに実装できることを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  高温 ,  電気抵抗率 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  結晶系 ,  *立方晶系 ,  *六方晶系 ,  圧抵抗効果 ,  キャラクタリゼーション ,  ロバスト性 ,  MEMS ,  *圧電抵抗
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  デバイスシミュレータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 立方晶 ,  六方晶 ,  炭化 ,  ケイ素結晶 ,  ピエゾ抵抗 ,  移動度 ,  モデリング