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J-GLOBAL ID:202002241084977087   整理番号:20A0768655

数値モデリングを用いたp-グラフェン/CH_3NH_3PbI_3/n-CsI太陽電池の性能に及ぼす層特性の影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating the impact of layer properties on the performance of p-graphene/CH3NH3PbI3/n-cSi solar cell using numerical modelling
著者 (4件):
資料名:
巻: 140  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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正孔輸送層としての多層p-グラフェンの使用は,ペロブスカイト太陽電池の性能を改善することに成功した。p-グラフェン/CH_3NH_3PbI_3/n-cSiの構造を設計し,AFORS-HETソフトウェアでシミュレーションした。単一層p-グラフェンのパラメータを最適化し,AM1.5Gの照射下で12.21%の電力変換効率(PCE)を得た。p-グラフェン層の数が増加すると,PCEは10.01%に低下した。活性層パラメータの最適化はPCEを12.27%まで増加させた。n-cSiパラメータの更なる最適化は16.75%の最高PCEをもたらした。太陽電池性能に及ぼす動作温度の顕著な影響を観測した。太陽電池性能に及ぼすテキスチャード表面の影響も研究し,平面表面に対する16.75%と比較して,テクスチャ表面に対して17.90%のPCEを得た。著者らの研究は,p-グラフェンがペロブスカイト太陽電池における効率的な正孔輸送層として作用する可能性があることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  トランジスタ  ,  半導体結晶の電子構造 

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