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J-GLOBAL ID：202002241204318864   整理番号：20A2149599

MXene-青色フォスフォレンおよびMXene-MoS_2トランジスタに関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles investigations on MXene-blue phosphorene and MXene-MoS₂ transistors

著者 (4件)： Zhou Yuhong ( School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315201 People’s Republic of China) ,  Zhuge Xia ( School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315201 People’s Republic of China) ,  An Peng ( School of Electronics and Information Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315201 People’s Republic of China) ,  Du Shiyu ( Engineering Laboratory of Advanced Energy Materials, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201 People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 39  ページ： 395203 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業では,電子デバイスの開発における最も重要なステップの一つは,オーム接触に適した電極材料の発見である。新たに発見された2D材料のタイプとして,MXeneは有望な性能を有する電界効果トランジスタ(FETs)に用いる材料として探索され,それは理解される基礎となる機構に悩まされている。本研究では,ab initio量子輸送シミュレーションを用いて,MXene電極を有する単層青色ホスホレン(BlueP)およびMoS_2に対する5~10nmデバイスモデルの挙動を調べた。最初に,M_3C_2T_2(M=Ti,Zr,またはHf;T=F,OH,またはO)MXeneと接触した青色PとMoS_2の界面特性を研究した。結果は,OHとF官能化MXeneの幾つかが青色PまたはMoS_2とn型オーム接触を形成するが,O官能化MXeneは青色PとMoS_2とのp型オーム接触を形成することを示した。従って,FETモデルをM_3C_2(OH)_2電極で構築すると,これらのFETは,100~200mV/decadeのサブ閾値スイングと0.5Vのバイアス電圧で106までの高いオン/オフ比のオーム接触により,高いオン電流を示した。著者らの結果は,サブ10nmチャネル長を有するFETが,高性能と低電力論理応用の両方の要求を満たすことができることを意味する。本研究の結果は,MXeneが高性能BluePとMoS_2FETのための適切な電極として作用し,エレクトロニクスにおける種々の2D材料の応用を導く新しい手がかりを提供するかもしれないことを示す。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  電極材料 ,  固体素子モデル ,  電子技術 ,  二次元 ,  Ohm接触 ,  単一層 ,  官能化
準シソーラス用語： チャネル長 ,  電子素子 ,  バイアス電圧 ,  界面特性 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MXene ,  青色 ,  フォスフォレン ,  トランジスタ ,  第一原理 ,  研究