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J-GLOBAL ID：202002241282058749   整理番号：20A1020944

DRAMのための新しいターゲット設計によるリソグラフィー収差トラッキングによる改良型デバイスオーバレイ【JST・京大機械翻訳】

Improved device overlay by litho aberration tracking with novel target design for DRAM

著者 (7件)： Liu Xiaolei (KLA Corp. (China)) ,  Hajaj Eitan (KLA Corp. (Israel)) ,  Volfman Alon (KLA Corp. (Israel)) ,  Spielberg Hedvi (KLA Corp. (Israel)) ,  Grauer Yoav (KLA Corp. (Israel)) ,  Yohanan Raviv (KLA Corp. (Israel)) ,  Gao Xindong (KLA Corp. (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11325  ページ： 113252R-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日の進歩したプロセスでは,より高い光リソグラフィー分解能を達成するために,いくつかの層は極端な双極子照明条件を必要とする。一つの例は,多数の臨界層が極端な双極子スキャナ照明でパターン化されている現代のDRAMプロセスである。このような層上の従来の(画像ベースと回折に基づく)オーバレイマークは,オーバレイデバイス追跡における不十分な精度を被る水平または垂直線を典型的に使用する。新しい二角形AIM(DAIM)オーバレイマークは,傾斜構造の使用を通して,実際のデバイスを模倣する。デバイスオーバレイトラッキングにおける著しい改善を,DAIMオーバレイマークを用いて実証した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *収差 ,  照明 ,  照明条件 ,  分解能 ,  双極子 ,  走査装置 ,  *リソグラフィー ,  *DRAM ,  フォトリソグラフィー ,  パターン形成
準シソーラス用語： 臨界層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： DRAM ,  ターゲット ,  設計 ,  リソグラフィー ,  収差 ,  トラッキング ,  オーバレイ