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J-GLOBAL ID：202002241337102827   整理番号：20A0631225

グラフェン-BCN-グラフェン層状半導体の強束縛記述【JST・京大機械翻訳】

Tight-binding description of graphene-BCN-graphene layered semiconductors

著者 (4件)： Ebrahimi Mahsa (Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran) ,  Horri Ashkan (Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran) ,  Sanaeepur Majid (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Arak University, Arak, Iran) ,  Tavakoli Mohammad Bagher (Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 19  号： 1  ページ： 62-69  発行年： 2020年 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数計算に基づいて,2層のグラフェンの間に挟まれた3つのBCN同素体の数層に対して強束縛モデルを提案した。結果は,これらの層状材料ベースのシステムを通して量子トンネリングに基づいて動作する垂直トンネル電界効果トランジスタやナノスケールセンサのような新しいナノ電子デバイスの性能の研究に向けての道を開く。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  窒化ホウ素 ,  センサ ,  *グラフェン ,  積層材料
準シソーラス用語： ナノスケール ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  強束縛モデル ,  同素体 ,  二層 ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BCN ,  グラフェン ,  窒化ホウ素 ,  強い結合 ,  DFT

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  層状 ,  束縛 ,  記述