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J-GLOBAL ID：202002241430141242   整理番号：20A2550957

モリブデン酸アンモニウム:誘電クロスオーバと抵抗スイッチング性能のための材料【JST・京大機械翻訳】

Ammonium phosphomolybdate: a material for dielectric crossover and resistive switching performance

著者 (4件)： Ghosh Sarit K. (Department of Chemical Sciences, University of Johannesburg, P.O. Box 524, Auckland Park 2006, Kingsway Campus, South Africa. [e-mail]) ,  Perla Venketa K. ,  Mallick Kaushik ,  Pal Tarasankar
資料名： Nanoscale Advances  (Nanoscale Advances)
巻： 2  号： 11  ページ： 5343-5351  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5051A  ISSN： 2516-0230  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黄色アンモニウムリンモリブデン酸塩[(NH_4)_3PMo_12O_40](YAPM)は,無数の分野応用を見出す堅牢でエレガントな化合物である。ここでは,この無機ポリマーが新しい誘電材料およびメモリデバイス作製のための化合物として機能することを示した。それは,UV(365nm)照射下で,可変誘電性能とac伝導率を示した。誘電率(ε′)の劇的な低下が誘電損失因子の増加と共に観察され,これはUV曝露下の電子蓄積により確認され,緑色APM(GAPM)を生成した。Maxwell-Wagner分極と双極子緩和の寄与を材料の電荷移動と誘電寄与と相関させた。興味深いことに,Mo(VI)のMo(v)への圧力誘起還元を初めて報告し,EPRスペクトルによって裏付けられたUV曝露混合原子価GAPMと類似している。ac信号では,量子力学トンネリングからホッピング伝導への交差は,UV照射下のYAPMの適切な説明である。可撓性紙基板上に作製したデバイスAu≡YAPM∥Auは,それぞれOFFとON状態に対するSchottky型発光(SE)とPoole-Frenkel(PF)キャリア輸送としてモデル化した抵抗メモリ挙動を示す。このデバイスはYAPMに対して2×102の一定のON-OFF電流比を示した。UV下のデバイスのOFF状態耐久性(1sの時間周期を持つ3Vパルス)は,時間と共に安定した増加電流強度を示した。100sのUV暴露後,Au≡YAPM≡Au素子はAu≡GAPM≡Auとなり,伝導率は安定なON状態(300sで)に完全にシフトした。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  発光 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  紫外線照射 ,  無機重合体 ,  緩和現象 ,  双極子 ,  誘電材料 ,  *アンモニウムイオン ,  ホッピング伝導 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *クロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (3件)： モリブデン酸アンモニウム ,  クロスオーバ ,  スイッチング性能