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J-GLOBAL ID：202002241591654457   整理番号：20A2802745

三端子有機メモリとシナプスデバイスにおける界面修飾【JST・京大機械翻訳】

Interface Modification in Three-Terminal Organic Memory and Synaptic Device

著者 (4件)： Zheng Chaoyue (Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Liao Yuan (Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Han Su-Ting (Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Zhou Ye (Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 12  ページ： e2000641  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面は,電荷担体の輸送とトラッピング操作が半導体/誘電体層とソース-ドレイン電極/半導体層の間の界面に関係するので,メモリ族の重要なメンバーである3端子有機メモリデバイスのための貴重な研究領域である。この進展報告は,3端子有機メモリデバイスに対する界面効果の開発を強調する。最初に,主に形態を調整し,2つの層間の接着を強化し,表面複体を変化させ,そして,メモリ特性が界面特性に依存するので,表面エネルギーを制御する,界面修正の目標を,主に,2つの層間の接着を強化した。第2に,2つの一般的方法を提案して,界面層として高分子を有する自己集合単層(SAMs)と薄膜を製造することを含む,界面工学を通して装置の性能を改善した。第3に,3端子有機メモリデバイスも,シナプスの様々な機能をシミュレートするために使用できるので,界面工学において導入されるであろう。この報告の最後に,3端子有機メモリデバイスにおける界面修飾の課題を論じた。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *記憶装置 ,  薄膜 ,  半導体 ,  表面エネルギー ,  誘電体 ,  *シナプス ,  高分子 ,  複体 ,  単一層 ,  自己集合
準シソーラス用語： 界面層 ,  トラッピング ,  電荷キャリア ,  界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 界面修飾 ,  界面層 ,  SAM ,  シナプスデバイス ,  三端子有機メモリデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機メモリ ,  シナプス ,  界面 ,  修飾