Lu Yuxi について
College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, China について
Sun Hui について
College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, China について
Sun Hui について
National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, China について
Wang Zhifeng について
Testing Center, Yangzhou University, Jiangsu, China について
College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, China について
Yao Tiaoshu について
College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, China について
Wang Jianlin について
National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, China について
Qi Yajun について
Department of Materials Science and Engineering, Hubei University, Wuhan, China について
Chen Xiaobing について
Guangling College of Yangzhou University, Yangzhou, China について
Lu Yalin について
National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, China について
Journal of Materials Science. Materials in Electronics について
ドーピング について
残留磁化 について
記憶素子 について
誘電性 について
磁場 について
強誘電性 について
層状化合物 について
セラミック について
磁気 について
強磁性 について
残留分極 について
酸素空格子点 について
層状ペロブスカイト について
磁性強誘電体 について
固体デバイス材料 について
CO について
ドープ について
セラミック について
室温 について
マルチフェロイック について