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J-GLOBAL ID：202002241614204273   整理番号：20A2730893

MoS_2/WSe_2多層ヘテロ構造における層依存Electron移動と再結合過程【JST・京大機械翻訳】

Layer-Dependent Electron Transfer and Recombination Processes in MoS₂/WSe₂ Multilayer Heterostructures

著者 (6件)： Zheng Shu-Wen (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Wang Hai-Yu (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Wang Lei (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Wang Hai (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Sun Hong-Bo (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Sun Hong-Bo (State Key Laboratory of Precision Measurement Technology and Instruments, Department of Precision Instrument, Tsinghua University, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 22  ページ： 9649-9655  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料の電荷移動過程の理解と制御は,2D半導体とヘテロ構造に基づく最適化デバイス性能の基本である。電荷移動速度はII型バンド配列を有する遷移金属ジスルフィド(TMD)ヘテロ構造において非常にロバストであり,ドナーとアクセプタ単分子層を分離するためにhBNのような誘電体層を挿入することによって操作できる。本研究は,ドナー-アクセプタ距離が維持されるnLMoS_2/mLWSe_2多層ヘテロ構造の場合,電子移動と再結合速度を変化させる代替方法があるが,電子移動速度は強く層に依存し,ドナーとアクセプタ単分子層の層数に対して非対称性を示す。特に,1LMoS_2/2LWSe_2ヘテロ構造は,それぞれ1LMoS_2/1LWSe_2ヘテロ構造の電子移動と電荷再結合速度約2.3と12倍を遅くし,これは1LMoS_2/hBN/1LWSe_2ヘテロ構造と競合した。応用展望から,光生成電子が1つ以上の原子的に薄い層を通過するべき非界面電子移動は,初期界面電子移動によって確立された内蔵電場により有利ではない。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  界面 ,  *再結合 ,  最適化 ,  電場 ,  ドナー ,  半導体 ,  光生成 ,  誘電体 ,  単分子層 ,  二次元 ,  電子移動 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  電荷再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多層 ,  ヘテロ構造 ,  層