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J-GLOBAL ID：202002241688951201   整理番号：20A0656922

単層黒ヒ素-りんFETにおける異方性面内弾道輸送【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic In-Plane Ballistic Transport in Monolayer Black Arsenic-Phosphorus FETs

著者 (8件)： Zhou Wenhan (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zhang Shengli (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Wang Yangyang (Nanophotonics and Optoelectronics Research Center, Qian Xuesen Laboratory of Space Technology, China Academy of Space Technology, Beijing, 100094, P. R. China) ,  Guo Shiying (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Qu Hengze (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Bai Pengxiang (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Li Zhi (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zeng Haibo (Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： e1901281  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層ヒ素-リン(AsP)電界効果トランジスタ(FET)の性能限界を,ナノスケール素子における弾道輸送の第一原理シミュレーションにより調べた。単分子層AsPは,著しく異方的な電子特性を有する0.92eVの直接バンドギャップを保持した。n型およびp型AsP FETの移動特性を,アームチェアおよびジグザグ方向のチャネル長をそれぞれスケーリングすることにより徹底的に調べた。シミュレーション結果は,AsP FETが,高いオン状態電流,短い遅延時間,および低い電力消費のような例外的なデバイス特性を示すことを示した。さらに,移動特性は面内電気輸送特性に優れた異方性を示した。特に,ジグザグ方向において,チャネル長が4nmまで縮小されても,デバイス性能は半導体高性能要求に対する国際技術ロードマップを満足することができる。最後に,他の典型的な2D FETに対するエネルギー遅延積をベンチマーキングすることにより,AsP FETは強く競合する2D FETであることを明らかにした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *ヒ素 ,  *リン ,  二次元 ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  異方性 ,  第一原理 ,  シミュレーション ,  単分子層 ,  電力消費 ,  *バリスティック輸送 ,  単一層 ,  折れ線
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D FET ,  ヒ素リン ,  弾道輸送 ,  電子特性 ,  第一原理シミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  黒 ,  ヒ素 ,  FET ,  異方性 ,  弾道輸送