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J-GLOBAL ID：202002241874951804   整理番号：20A0983917

高性能MoSe_2ホモ接合赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-performance MoSe₂ homojunction infrared photodetector

著者 (27件)： Wang Zhen (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Zhen (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Yunfeng (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Chen Yunfeng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wu Peisong (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wu Peisong (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Ye Jiafu (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Ye Jiafu (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Peng Meng (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Peng Meng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yan Ye (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics & Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhong Fang (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhong Fang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  He Ting (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  He Ting (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Yang (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Xu Mengjian (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Kun (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Hu Zhigao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics & Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Li Qing (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Li Qing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhang Lili (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Lili (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Fang (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Fang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Peng (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Peng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 106  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 独特の構造的及び物理的性質を有する二次元(2D)材料は,次世代エレクトロニクス及び赤外検出器において利用され,適用されることが急務である。ホモ接合素子は,非意図的に誘起された不純物や電荷捕獲サイトのような界面問題がないので,ヘテロ接合素子と比較して理想的で有望な候補である。本研究では,高性能MoSe_2ホモ接合赤外検出器を報告した。MOSE_2ホモ接合素子は,直接,厚くて薄いMoSe_2から成る。MOSE_2ホモ接合ダイオードは,バックゲート電圧に依存する順方向および逆方向整流を含む異なる整流特性を示した。注目すべきことに,MoSe_2ホモ接合光検出器は,室温で可視から近赤外までの波長で広帯域光応答を有する。940nmレーザ照射下でのMoSe_2ホモ接合光検出器の応答性は約2.25AW-1である。さらに,MoSe_2ホモ接合素子の得られた比検出能は10~10Jones以上である。著者らの発見は,実現可能なホモ接合素子を作製するための優れた方法を提供する。一方,ホモ接合素子はまた,新しい電子およびオプトエレクトロニクス素子において,wealthな可能性を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  赤外検出器 ,  *赤外線 ,  電圧 ,  不純物 ,  波長 ,  レーザ照射 ,  近赤外線 ,  接合ダイオード ,  電子技術 ,  二次元 ,  整流 ,  広帯域
準シソーラス用語： バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoSe_2 ,  ホモ接合 ,  前進整流 ,  逆整流 ,  赤外光検出器

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  ホモ接合 ,  赤外光 ,  検出器