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J-GLOBAL ID:202002241971735248   整理番号:20A0705072

InN/InGaN多重量子井戸におけるフォノンボトルネック効果の基礎となる機構に関する定量的研究【JST・京大機械翻訳】

Quantitative study on the mechanisms underlying the phonon bottleneck effect in InN/InGaN multiple quantum wells
著者 (5件):
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巻: 116  号: 10  ページ: 103104-103104-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,InN/In_xGa_(1-x)N多重量子井戸におけるフォノンボトルネック効果の基礎となる界面フォノン不整合と量子閉込めの機構を定量的に調べた。増強されたフォノンボトルネック効果による4.75nsの最長緩和時間によるキャリア熱化の明らかな拡張が観測された。より強い量子閉じ込めは,弾性キャリア-キャリア散乱を改善することにより,キャリア緩和速度を効果的に低減できるが,より大きなフォノン不整合は,光学フォノンの反射とおそらく準光学フォノンの閉込めにより,より高い初期キャリア温度を与えることが分かった。本研究は,フォノンボトルネック効果を介してキャリア緩和速度を減少させることを目的とした光起電力および他の光電子デバイスへの本質的な理論的洞察を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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結晶中のフォノン・格子振動 

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