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J-GLOBAL ID：202002242101373793   整理番号：20A0528454

O_2プラズマ処理を用いたn面n型GaN上のTi/Al Ohm接触の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Ti/Al ohmic contacts on N-face n-type GaN by using O₂ plasma treatment

著者 (4件)： Seo Hyeuk (Department of Printed Electronics Engineering, Sunchon National University, Jeonnam 540-742, Republic of Korea) ,  Cha Yu-Jung (Department of Printed Electronics Engineering, Sunchon National University, Jeonnam 540-742, Republic of Korea) ,  Islam Abu Bashar Mohammad Hamidul (Department of Printed Electronics Engineering, Sunchon National University, Jeonnam 540-742, Republic of Korea) ,  Kwak Joon Seop (Department of Printed Electronics Engineering, Sunchon National University, Jeonnam 540-742, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 510  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直発光ダイオード(VLED)のN(窒素)面n-GaNへのTi/Al(20/200nm)接触の電気的性質に及ぼすO_2プラズマ処理の影響を,O_2プラズマ処理パワーと時間を変えて研究した。接触とシート抵抗を測定するために,N面n-GaN上の円形移動長法(CTLM)パターンを作製するために,フォトリソグラフィーと化学リフトオフ法の両方を用いた。250Wまでのプラズマ処理パワーの増加とともに,全およびシート抵抗は減少した。プラズマ処理後,Ti/AlベースのSchottky接触層がオーム特性に変換することが分かった。n-GaN表面上のGaN化学結合はO_2プラズマ処理により破壊される。このように,X線光電子分光法特性を用いて相互に理解されるGaO結合を形成した。プラズマ処理後,VLEDの順方向電圧は全抵抗の減少により減少するだけでなく,光強度分布と光出力の両方が接触層を通る電流広がりの増加のために改善される。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Ohm接触 ,  フォトリソグラフィー ,  電流 ,  電気的性質 ,  発光ダイオード ,  シート抵抗 ,  電圧 ,  *アルミニウム ,  *チタン ,  *プラズマ処理 ,  X線光電子分光法 ,  化学結合 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 光出力 ,  リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： VLED ,  n面n-GaN ,  プラズマ処理 ,  Ohm接触

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ処理 ,  GaN ,  Ti ,  Al ,  Ohm接触