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J-GLOBAL ID:202002242158702446   整理番号:20A0064855

有機金属化学蒸着により成長させた単一コア-シェルGaN/GaN:Mnマイクロワイヤで観察された単一強磁性ドメイン【JST・京大機械翻訳】

Single ferromagnetic domain observed in single core-shell GaN/GaN:Mn micro-wire grown by metalorganic chemical vapor deposition
著者 (10件):
資料名:
巻: 137  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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コア-シェルGaN/GaN:Mn細線の自発的自己組織化成長を,触媒なしで有機金属化学蒸着(MOCVD)により得た。単一コア-シェルGaN/GaN:Mn細線の構造と磁気特性を調べた。Mn原子はGaN:Mnシェル層中に微小析出物やクラスタを含まずにGa原子を置換した。磁気ヒステリシス曲線は,コア-シェルGaN/GaN:Mn細線が室温以上で強磁性であることを示した。さらに,GaN:Mn中の二次相を除いて,外部磁場を印加しない成長したままのGaN:Mnシェル層において,磁気力顕微鏡(MFM)によって単一の強磁性ドメインを確認した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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