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J-GLOBAL ID：202002242160973346   整理番号：20A2613847

低VFダイオードSG-17VLEJの開発

Development of Low-VF Diode SG-17VLEJ

著者 (2件)： 西村保弘 (サンケン電気 技術本部) ,  高橋直久 (サンケン電気 技術本部)
資料名： サンケン技報  (Sanken Technical Report)
巻： 52  ページ： 37-39  発行年： 2020年11月20日 
JST資料番号： S0481A  ISSN： 0285-9815  CODEN： STEQDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 車載向けオルタネータ用ダイオードのV_F低減要求に対応したJBS構造のSG-17VLEJを開発した。オルタネータダイオードは低VF特性だけでなく低I_R特性や高サージ耐量も求められる。ショットキーバリア構造はPN構造よりもV_Fを低減できるがI_Rとサージ耐量を満足することができない。よってショットキーバリアにP+セルを形成させたJBS構造とすることで,V_F低減と共にI_Rの上昇抑制,およびサージ耐量の確保を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ダイオード ,  交流発電機 ,  素子構造 ,  Schottky障壁 ,  電気サージ ,  許容量

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： VF ,  ダイオード ,  Sg ,  開発