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J-GLOBAL ID：202002242264240584   整理番号：20A2614895

2つの磁気層を有する集積インダクタの設計,製造および特性評価【JST・京大機械翻訳】

Design, Manufacturing, and Characterization of Integrated Inductors With Two Magnetic Layers

著者 (7件)： Yaya D. D. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France) ,  Koularambaye M. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France) ,  Bechir M. H. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France) ,  Desire A. (National Institute of Science and Technology of Abeche, Abe ́che ́, Chad) ,  Capraro S. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France) ,  Chatelon J. P. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France) ,  Rousseau J. J. (LabHC UMR 5516, CNRS, Univ. Lyon, UJM Saint-Etienne, Saint-E ́tienne, France)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 56  号： 12  ページ： ROMBUNNO.8400607.1-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シミュレーション結果,製造の技術的段階,および2つの磁気層を有する統合インダクタの低および中周波数(20MHzから数百MHz)での特性評価結果を提示した。高周波構造シミュレータ(HFSS)ソフトウェアで実現したシミュレーションは,2つの磁性層を有するインダクタのインダクタンス値に及ぼす垂直および水平空気ギャップの影響を可能にした。2つの磁性層を有するインダクタを100から500Ωμmの磁気厚さで製作した。この新しい製造プロセスの関心は,ほとんどのフェライトと互換性がある。測定結果はシミュレーション結果と良好な一致を示した。垂直空気ギャップを最小化することにより,磁場線が磁気層に完全に運ぶとき,インダクタンス値は磁性材料の相対透磁率に等しい比と共に増加する。周波数に対するインダクタの抽出抵抗発展を,導体損失と磁性材料の鉄損失に対する皮膚と近接効果を考慮して説明した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  磁場 ,  シミュレーション ,  透磁率 ,  フェライト ,  互換性 ,  シミュレータ ,  磁性材料 ,  *磁気 ,  ソフトウェア ,  近接効果 ,  磁損 ,  抵抗損 ,  磁気ギャップ ,  生産工程

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気層 ,  集積 ,  インダクタ ,  設計 ,  特性評価