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J-GLOBAL ID：202002242280092437   整理番号：20A2189083

歪によるグラファンの調節:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Regulation of graphane by strain: First-principles study

著者 (7件)： Zhu Xin (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Luo Jianglei (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Fan Li (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Chen Feng (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Li Chunmei (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Li Guannan (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China) ,  Chen Zhiqian (School of Materials and Energy, Southwest University, Chongqing, 400715, PR China)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 291  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフィンは,sp3型のみの炭素-炭素結合を含む完全に飽和した環状炭化水素である。それは水素貯蔵とオプトエレクトロニクスの分野で大きな可能性を持ち,広く関係する。しかし,グラフィンのバンドギャップは比較的大きく,その電子特性の調節には役立たなかった。本研究では,第一原理に基づき,密度汎関数理論を用いて,グラフの3つの異なる立体配座に関する歪の調節を系統的に研究した。その結果,バンドギャップは引張強度の増加とともに直線的に増加し,異なる方向においてグラフに歪の異なる勾配を適用することで,圧縮強度の増加とともに直線的に減少し,それにより,グラフェンは,良好な半導体または導体構造になることができ,それにより,それは,電子および光学分野に,より良く適用することができた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  半導体 ,  立体配座 ,  圧縮強さ ,  引張強さ ,  オプトエレクトロニクス ,  水素吸蔵 ,  *導体 ,  C-C結合 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： *グラファン ,  グラフィン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラファン立体配座 ,  歪 ,  電子構造 ,  光学特性 ,  弾性 ,  熱伝導率

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M) ,  塩  (CD01050V) ,  原子の電子構造  (BH02010V)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラファン ,  調節 ,  第一原理 ,  研究