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J-GLOBAL ID：202002242316883059   整理番号：20A0467309

ラマン分光法を用いたGaN HEMTのはんだ接合応力の評価

著者 (2件)： 内田智之 (東レリサーチセ) ,  杉江隆一 (東レリサーチセ)
資料名： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
巻： 26th  ページ： 233-236  発行年： 2020年01月28日 
JST資料番号： L2496A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  ICパッケージ ,  *残留応力 ,  Raman分光法 ,  Ramanスペクトル ,  ダイボンディング ,  はんだ付 ,  温度依存性 ,  *検出法
準シソーラス用語： 窒化ガリウムHEMT ,  半導体パッケージ

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (7件)：

• 三浦英生,西村朝雄,“Electronic Characteristic Changes of Semiconductor Devices Caused by Packaging Stress”,日本機械学会論文集(A編),61-589(1995),pp.95-102.
• R. Sugie, K. Kosaka, H. Seki, H. Hashimoto, and M. Yoshikawa, “Measurement of temperature-dependent stress in copper-filled silicon vias using polarized Raman spectroscopy”, J. Appl. Phys., 114(2013), 233503.
• 内田智之,小坂賢一,遠藤亮,山元隆志,杉江隆一,“ラマン分光法を用いたSiC MOSFETの応力の温度依存性評価”,第24回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集,24(2014),pp.49-52.
• R. J. Brigggs and A. K. Ramdas, “Piezospectroscopic study of the Raman spectrum of cadmium sulfide”, Phys. Rev., B13 (1976), 5518-5529.
• G. Callsen, J. S. Reparaz, M. R. Wagner, R. Kirste, C. Nenstiel, A. Hoffmann, and M. R. Phillips, Phonon deformation potentials in wurtzite GaN and ZnO determined by uniaxial pressure dependent Raman measurements”, Appl. Phys. Lett., 98 (2011), 061906.

タイトルに関連する用語 (6件)： ラマン分光法 ,  GaN ,  HEMT ,  はんだ接合 ,  応力 ,  評価