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J-GLOBAL ID：202002242397325287   整理番号：20A0745955

CuOナノ構造におけるバンドギャップ工学:デュアルバンド,広帯域およびUV-C光検出器【JST・京大機械翻訳】

Bandgap engineering in CuO nanostructures: Dual-band, broadband, and UV-C photodetectors

著者 (4件)： Tripathi Akash (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Indore 453552, India) ,  Dixit Tejendra (Departments of Physics and Materials Science Research Centre, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Agrawal Jitesh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Indore 453552, India) ,  Singh Vipul (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Indore 453552, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 11  ページ： 111102-111102-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CuO(p型半導体)のバンドギャップを,ナノ構造形態と中間ギャップ欠陥状態を調整することにより,約1eVの間接バンドギャップから4eVの直接バンドギャップまで設計した。近赤外(NIR)と可視領域における吸収は,成長パラメータを制御することによって通常抑制される。種々のスペクトル範囲(UV-CからNIR)光検出器の増加する範囲と要求を考慮して,CuOナノ構造の特定のエネルギーレベルでの利用可能な状態密度(DOS)の系統的変化を利用して,二重バンド(250nmと900nm),広帯域(250nm-900nm),およびUV-C(250nm)光検出器を作製した。広帯域検出器に対する光検出器の感度と検出能は,それぞれ,900nmと122の波長に対して,~10~3と2.24×10~11Jones,250nm波長に対しては,それぞれ122と2.74×10~10Jonesであった。UV-C検出器は250nm波長光に対して1.8の感度と4×10~9Jonesの検出能を示した。素子動作と利用可能なDOSの変化の影響を説明するために,光伝導の妥当な機構を提案した。得られた光検出器は将来のオプトエレクトロニクス応用の潜在的候補である。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 検出器 ,  光伝導 ,  半導体 ,  *バンドギャップ ,  *光検出器 ,  *ナノ構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  スペクトル ,  状態密度 ,  波長 ,  エネルギー準位 ,  *酸化第二銅 ,  近赤外線 ,  *広帯域
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： CuO ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  工学 ,  デュアルバンド ,  広帯域 ,  UV-C ,  光検出器