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J-GLOBAL ID：202002242463980229   整理番号：20A2232902

走査型トンネル顕微鏡によるハロゲン化鉛ペロブスカイトに及ぼす電場の影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating the effect of electric fields on lead halide perovskites by scanning tunneling microscopy

著者 (4件)： Wieghold Sarah (Department of Chemistry and Biochemistry, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, USA) ,  Shirato Nozomi (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Rose Volker (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Nienhaus Lea (Department of Chemistry and Biochemistry, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 12  ページ： 125303-125303-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛ハライドペロブスカイトは,最近の10年間にわたって有望な吸収材料として出現し,その電流限界を超える光起電力の効率を増加させる。しかし,ペロブスカイトの性能をさらに最適化するためには,ナノスケールでの膜形態と局所電子特性の相関を可能にするより詳細な研究が必要である。ここでは,電流-電圧分光法,電流イメージングトンネル分光法,微分コンダクタンスマッピング,およびシンクロトロンX線STMによるX線吸収分光法による膜応答に及ぼすメチルアンモニウムホルマジニウム鉛三ヨウ化物ペロブスカイト薄膜の印加電場の効果を調べる走査トンネル顕微鏡(STM)法を示した。逆バイアス極性の下でイメージングするとき,測定条件と得られた電流-電圧特性の間に強い相関を見出した。特に,鉛ハライドペロブスカイトに対する既に観測されたポーリング効果の類似性を見出し,これはイオンおよび空孔移動による正または負に荷電した界面のいずれかをもたらす。著者らの結果は,STMによるペロブスカイト薄膜の性能評価に及ぼすバイアス極性のような測定条件の影響への洞察を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  界面 ,  光起電力 ,  最適化 ,  シンクロトロン ,  電圧 ,  *電場 ,  電流 ,  薄膜 ,  *鉛 ,  電流電圧特性 ,  *ハロゲン化 ,  画像処理
準シソーラス用語： ナノスケール ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  ハロゲン化鉛ペロブスカイト ,  電場 ,  研究