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J-GLOBAL ID：202002242470486705   整理番号：20A1236049

長期保存用市販フラッシュメモリの湿度信頼性

Humidity reliability of commercial flash memories for long-term storage

著者 (6件)： Murota Tomoki (Nanoelectronics Laboratory, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Mimura Toshiki (Nanoelectronics Laboratory, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Gomasang Ploybussara (Nanoelectronics Laboratory, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Yokogawa Shinji (Info-Powered Energy System Research Center, University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 987-6543, Japan) ,  Ueno Kazuyoshi (Nanoelectronics Laboratory, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Ueno Kazuyoshi (Research Center for Green Innovation, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo 135-8548, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SL  ページ： SLLC01 (4pp)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長期データ保存の応用環境におけるフラッシュメモリの信頼性の実現可能性を調べるため,市販のフラッシュメモリを対象に温湿度加速試験を実施した。従来パッケージの市販16GB SDカード9枚を85°C/85%RHの試験室に最大3040時間保管し,保管試験後にフリーソフト「Check Flash」を用いて書き込み/読み出し動作を確認した。湿度に対する寿命は,文献から得られた湿度加速係数(n)や活性化エネルギー(E_a)などの平均的なパラメータを仮定して,寿命予測に広く用いられているべき乗則湿度モデル(Peckモデル)により予測した。その信頼性を確保するための更なる研究は必要だが,市販のフラッシュメモリは100年以上の長期記憶媒体としての実現可能性を予備的に有していることが示された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *耐湿性 ,  *信頼性試験 ,  データ蓄積 ,  保存 ,  温熱環境 ,  ICパッケージ ,  データ読取 ,  加速試験 ,  活性化エネルギー ,  寿命予測 ,  記憶媒体
準シソーラス用語： データ保存 ,  長期保存 ,  温湿度環境 ,  SDカード ,  読出し

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 長期 ,  保存 ,  フラッシュメモリ ,  湿度